概要のみを紹介します。詳細については現在準備中です。

::: 概要 :::

　材料，物性研究は、応用技術の発展や新技術の展開に繋がっていきます。 材料の特性向上や新物性発現のためには、材料が潜在的に持つ性質を十分に引き出すことが重要です。 そのためには、材料構造をナノから原子レベルで制御することが鍵となってきます。 本研究室では、基板とその上に形成する材料との原子レベルでの相互作用により起こるエピタキシャル結晶成長現象の解析、および、それを活用した磁性材料形成技術の開発を行っています。 そして、磁性や電子スピンを制御することにより、エネルギー変換，情報記録，センサー・デバイスなどの機能向上や新規創出を目的とした研究を推進しています。
　その研究背景には、エネルギー消費に伴う深刻な地球規模での温暖化があります。 化石燃料から放出される温室効果ガス濃度を考慮したシミュレーションでは、 今世紀末の地球平均気温はこのままのレベルの環境対策しか行わないと最大で4.8 °C上昇し、 ガス放出量を2050年までに現在の半分に削減し、更に2100年までにガス放出量をゼロにしも、 平均気温は0.3～1.7 ℃上昇すると見積もられています（IPCC第5次評価報告書）。 しかしながら、新興国を中心に人口は増大傾向にあり、経済コスト優先を背景に化石燃料を用いた発電が利用されています。 CO₂削減も地球レベルでは限定的で、温暖化に歯止めがかかっていない状況です。 そのため、電力の利用や伝送で行うエネルギー変換の高効率化、および、新電子デバイスによる省エネルギー化の推進が重要となってきます。 本研究室では、 電気－磁気－機械力のエネルギー変換を行うモーター（日本の総電力の50%強を消費）， 電気－磁気のエネルギー変換を行うトランス（日本の総電力の3%強はこのエネルギー変換の際の損失）， 機械力－磁気－電気もしくは熱－電子スピン－電気のエネルギー変換を行う発電デバイス， 大容量ストレージのエネルギーアシスト型ハード磁気ディスク装置， 低消費電力メモリのMRAM を対象とした磁性材料の研究開発を行い、これらの課題解決に取り組んでいます。

::: 実験装置 :::

• UHVスパッタ装置（1カソード・5ターゲット・DC/RFスパッタ，逆スパッタ，反射高速電子回折）
• 分子線エピタキシー装置（Kセル蒸着，電子ビーム蒸着，反射高速電子回折）
• 分子線エピタキシー装置（Kセル蒸着，アークプラズマスパッタ，反射高速電子回折）
• 真空排気・温度制御・磁場印加型 走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡／磁気力顕微鏡）
• 真空排気型 走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡／磁気力顕微鏡）
• 回転磁界印加型 磁歪測定装置
• ベクトル・ネットワーク・アナライザー

::: 外部研究資金 :::

• 2017年4月～2020年3月　科学研究費補助金 若手研究(B) 17K14660
• 2014年4月～2016年3月　科学研究費補助金 若手研究(B) 26820117
• 2011年8月～2012年3月　平成23年度第1回 研究成果最適展開 支援プログラム・FSステージ 探索タイプ
• 2011年4月～2013年3月　科学研究費補助金 研究活動ｽﾀｰﾄ支援 23860047
• 2011年4月～2012年3月　服部報公会 平成23年度 工学研究奨励援助金
• 2010年1月～2010年12月　国際科学技術財団 研究助成
• 2009年4月～2011年3月　科学研究費補助金 特別研究員奨励費 21・6780

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